晶圓吸附是指在晶圓表面附著一層化學物質，用以改變晶圓表面的物理化學性質，從而實現對半導體器件的制備和性能調節。吸附方式的選擇對于半導體器件的質量和性能有著重要影響。
一、晶圓吸附的作用：
固定晶圓：在劃片機劃切過程中，晶圓需要被固定在吸盤上，以確保劃切過程的穩定性和準確性。通過真空吸附或機械夾持，拋光頭可以將晶圓牢固地固定在位，防止其在拋光過程中發生移動或滑動。
保證表面平坦度：在拋光過程中，晶圓需要保持穩定，以實現精確的拋光控制，從而保證所需的表面平坦度。通過晶圓吸附，可以減少因晶圓移動或滑動而導致的表面不平整等問題，提高拋光后晶圓的表面質量。
施加壓力：在拋光過程中，通過施加壓力，拋光頭確保晶圓表面與拋光墊緊密接觸，促進均勻的材料去除。施加的壓力可以全局或局部調整，以適應不同的拋光要求，但需要確保壓力均勻分布，避免不均勻的拋光。
帶動晶圓旋轉：拋光頭本身可以旋轉，通過吸附作用帶動晶圓一起旋轉。旋轉的晶圓與拋光墊有一個相對運動速度，確保整個晶圓表面與拋光墊接觸的時間和強度均勻一致，有助于實現晶圓表面材料的均勻去除。
集成終點檢測：在CMP設備中，拋光頭集成了終點檢測技術，用于確定何時停止拋光，以避免晶圓材料被過度拋光。通過吸附作用與終點檢測技術的結合，可以提高CMP工藝的效率和精度。
二、晶圓吸附的類型：
機械真空吸附：通過真空泵創建負壓環境，真空泵用于從吸附區域抽氣，從而降低壓力，在晶圓與吸附盤之間產生真空區域。通常需要密封圈來確保吸附區域的密封，防止外界空氣進入。這樣可以產生足夠的吸力來穩定地吸附晶圓。
優點：
1.可靠性：能提供穩定的吸附力，確保晶圓在加工過程中的穩定性。
2.通用性：適用于不同尺寸和類型的晶圓，靈活性較高。
3.維護相對簡單：機械真空吸附系統較易維護。
缺點：
1.潛在的損傷風險：如果真空失效或操作不當，可能會損壞晶圓。
2.對超薄晶圓的適用性：對于極為脆弱或超薄的晶圓。
應用：
晶圓搬運：在半導體制造過程中，晶圓需要經過多個加工步驟，每個步驟都需要將晶圓從一個工位搬運到另一個工位。真空機械吸附技術能夠穩定、準確地吸附和搬運晶圓，確保其順利傳遞到下一個加工環節。
晶圓表面處理：在晶圓表面處理過程中，如涂膠、鍍膜等，真空機械吸附技術能夠提供穩定的吸附力，使晶圓固定在處理設備上，確保處理過程的順利進行。
晶圓檢測：在晶圓檢測環節，真空機械吸附技術能夠將晶圓穩定地放置在檢測平臺上，以便進行各種檢測和觀察，如缺陷檢測、表面形貌分析等。
晶圓切割與劃片：在晶圓切割和劃片過程中，真空機械吸附技術能夠提供穩定的吸附力，確保切割和劃片的精度和一致性。
晶圓封裝與測試：在晶圓封裝與測試環節，真空機械吸附技術能夠將晶片精準地放置在封裝盒中，并進行可靠的固定，以便進行后續的測試和驗證。
