光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System. 一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、勻膠（旋涂光刻膠）、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。 Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）； 在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。
c.投影式曝光（Projection Printing）:在掩膜板與光刻膠之間使用光學系統聚集光實現曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍制作。優點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。 投影式曝光分類： 掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸； 步進重復投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區域）。增加了棱鏡系統的制作難度。
掃描步進投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區域（Exposure Field）26×33mm。優點：增大了每次曝光的視場；提供硅片表面不平整的補償；提高整個硅片的尺寸均勻性。但是，同時因為需要反向運動，增加了機械系統的精度要求。 d. 高精度雙面：主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。 高精度特制的翻版機構、雙視場CCD顯微顯示系統、多點光源曝光頭、真空管路系統、氣路系統、直聯式無油真空泵、防震工作臺等組成。 適用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片的對準曝光。 e.高精度單面：針對各大專院校、企業及科研單位，對光刻機使用特性研發的一種高精度光刻機,中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產。 高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統、曝光頭、氣動系統、真空管路系統、直聯式無油真空泵、防震工作臺和附件箱等組成。 解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。
超分辨光刻機
